D램? 낸드플래시? 메모리반도체에 대해 알아보자

대한민국은 메모리반도체 강국이다. 전세계 메모리반도체의 대부분을 차지하고 있다. 그 중에서 특히  D램은 삼성전자와 SK하이닉스 두 회사가 전세계 M/S의 70%이상을 차지할 정도이다.

 

그렇다면, D램과 낸드플래시는 어떤 것이고, 어떻게 다른지 알아보도록 하자.

 

 

메모리반도체는, 전원이 꺼지면 날아가는 휘발성 메모리와 전원이 꺼져도 데이터가 남아있는 비휘발성 메모리로 나뉜다.

이를 각각 RAM(Random Access Memory), ROM(Read Only Memory)라고 한다.

 

1. 휘발성 메모리(Volatile Memory : RAM)

 

휘발성 메모리인 RAM은 크게 Dynamic RAM인 DRAM과 Static RAM인 SRAM으로 나뉜다. 

 

DRAM은 백만분의 1초마다 리프래시를 해주어야하지만
SRAM은 이름에서도 알 수 있듯이 리프래시를 해줄 필요가 없기에 SRAM이 더 빠르다.

 

하지만 1비트의 데이터(1 or 0)을 기억하기 위해서
DRAM의 경우 1개의 캐패시터와 1개의 트랜지스터만 있으면 되지만, SRAM의 경우 6개의 트랜지스터가 필요하다.

 

따라서 DRAM이 SRAM보다 더 많이 쓰인다.

 

전자회로에 대해 잘 알면 이해가 빠르겠지만, 몰라도 좋다.

 

 

2. 비휘발성 메모리(Nonvolatile Memory : ROM)

이제는 비휘발성 메모리를 알아보도록 하자.

 

 

ROM에는 대표적으로 플래시메모리(Flash memory)가 있는데, 논리구조에 따라 Nand-flash와 Nor-flash가 있다.

 

낸드플래시와 노어플래시의 차이를 한번 보고, 이중 왜 낸드플래시가 많이 사용되는지를 알아보자.

 

1) NAND flash는 직렬로 연결돼 있고 NOR flash는 병렬로 연결되어있다.

2) NAND flash는 쓰기 속도가 빠르지만, NOR flash는 읽기 속도가 빠르다.

3) NAND flash에 비해 NOR flash가 Cell size가 크다.

 

NOR는 저장단위인 셀을 병렬로 배열하는 구조이기 때문에 데이터를 빨리 찾을 수 있다. 
따라서 NAND flash보다 읽기속도가 빠르고, 데이터의 안전성이 우수하다.

 

하지만 각 셀의 주소를 기억해야 하기에 회로가 복잡하고, 이로 인해 데이터 저장 공간이 좁아 대용량화가 어렵다.그리고 셀의 주소를 찾아 써야하기 때문에 낸드 플래시보다 쓰기속도가 느리다.

 

 

 

낸드플래시는 직렬구조로 되어있기에, 병렬구조인 노어플래시에 비해 이어붙여 용량을 늘리기 수월하다. 그리고 현재에 플래시메모리는 읽기만하는것이 아니라, 쓰는 것도 중요하기에 낸드플래시가 더 많이 사용된다.